DRAM?NANDフラッシュメモリのメーカーは、爆発的な世界需要に対応できるよう、最高レベルの品質、一貫性、信頼性を維持しながら生产性を最大限に高めることが求められています。このような目標を達成するには、手ごわい課題がメーカーの製造工程に対して突き付けられています。

主な製造上の课题：

  • 高アスペクト比构造の実现
  • 微细化への接合形成技术の最大化
  • マルチパターニング问题の管理

础虫肠别濒颈蝉のソリューション：

当社は、业界最先端のイオン注入ソリューションを用いて、これらの课题に対するメモリメーカーの取り组みを支援いたします。当社の笔耻谤颈辞苍プラットフォームは以下をご提供いたします。

  • 当社独自の痴别肠迟辞谤?制御システムを用いた精密な角度制御
  • Eterna? ELSソースを用いた他にはないエネルギー純度
  • 业界をリードするパーティクル?金属混入制御
  • 広范なイオン种による材料改质
  • 品質と生产性を最大限に高めるダメージエンジニアリング

高电流、高エネルギーまたは中电流、または中エネルギーのPurionソリューションの详细を见る。